芯片超純水設備

芯片超純水設備產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

EDI膜堆主要由交替排列的陽(yáng)離子交換膜、濃水室、陰離子交換膜、淡水室和正、負電極組成。在直流電場(chǎng)的作用下，淡水室中離子交換樹(shù)脂中的陽(yáng)離子和陰離子沿樹(shù)脂和膜構成的通道分別向負極和正極方向遷移，陽(yáng)離子透過(guò)陽(yáng)離子交換膜，陰離子透過(guò)陰離子交換膜，分別進(jìn)入濃水室形成濃水。同時(shí)EDI進(jìn)水中的陽(yáng)離子和陰離子跟離子交換樹(shù)脂中的氫離子和氫氧根離子交換，形成超純水(高純水)。電流使水電解產(chǎn)生的大量氫離子和氫氧根離子對離子交換樹(shù)脂進(jìn)行連續的，工作是連續的。

芯片超純水設備產(chǎn)品特點(diǎn)：

EDI可代替傳統的混合離子交換技術(shù)(MB-DI)生產(chǎn)穩定的去離子水。EDI技術(shù)與混合離子交換技術(shù)相比有以下優(yōu)點(diǎn):

1、離子交換樹(shù)脂的用量少，約相當于傳統離子交換法樹(shù)脂用量的5%。

2、離子交換樹(shù)脂不需酸，節約大量酸、堿和清洗用水，降低勞動(dòng)強度。

3、無(wú)廢酸、廢堿液排放，是清潔的生產(chǎn)技術(shù)。

4、過(guò)程實(shí)現自動(dòng)控制，產(chǎn)水水質(zhì)穩定，與RO等水處理技術(shù)相結合，能形成完善的純水、超純水生產(chǎn)線(xiàn)。

5、產(chǎn)水水質(zhì)高，可達到國家電子級水I級標準，電阻率為18MΩ·cm。

6、純水生產(chǎn)過(guò)程連續進(jìn)行，無(wú)需像離子交換床那樣一套在用一套地重復設置

適用范圍：

EDI超純水技術(shù)具有技術(shù)、操作簡(jiǎn)便，是清潔生產(chǎn)技術(shù)，在微電子工業(yè)、電力工業(yè)、醫藥工業(yè)、化工工業(yè)和實(shí)驗室等領(lǐng)域得到日趨廣泛的應用。

新興的光電材料生產(chǎn)、加工、清洗;LCD液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏、高品質(zhì)燈管顯像管、微電子工業(yè)、FPC/PCB線(xiàn)路板、電路板、集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，對水質(zhì)的要求也越高，這也對超純水處理工藝及產(chǎn)品的簡(jiǎn)易性、自動(dòng)化程度、生產(chǎn)的連續性、可持續性等提出了更加嚴格的要求。

在使用芯片超純水設備時(shí)，需要注意以下幾個(gè)方面的事項：

1.安全操作：遵循設備操作手冊和安全指南，確保正確操作設備并避免潛在的危險。使用適當的個(gè)人防護裝備，如手套和護目鏡。

2.檢查及維護：定期檢查超純水設備的運行狀態(tài)，包括檢查水質(zhì)、水流率、設備溫度、壓力等。及時(shí)清潔、更換濾芯、離子交換樹(shù)脂等關(guān)鍵部件，以保證設備的正常運行和水質(zhì)的穩定性。

3.水質(zhì)監測：定期對超純水進(jìn)行水質(zhì)監測，包括檢測離子含量、有機物污染、微生物等參數。確保水質(zhì)符合要求，并采取必要的措施進(jìn)行糾正和優(yōu)化。

4.預防污染：嚴格控制外部環(huán)境對超純水的污染，防止空氣中的顆粒物和有機物進(jìn)入水源。保持設備周?chē)那鍧嵑兔荛]，避免雜質(zhì)的進(jìn)入。

5.廢水處理：合理處理和處置廢水，以防止廢水對環(huán)境造成污染。遵守當地環(huán)境法規，采取適當的廢水處理措施，確保排放符合標準。

6.定期維護和校準：按照設備供應商的建議，定期進(jìn)行設備的維護和校準，以確保設備的穩定性和可靠性。

7.儲存和運輸：在儲存和運輸超純水時(shí)，避免與可能引起污染的物質(zhì)接觸，如有機溶劑、化學(xué)試劑等。使用干凈的容器進(jìn)行存儲，并避免高溫、陽(yáng)光直射等條件。

請注意，以上提到的事項是一般性建議，具體操作和注意事項可能因設備型號和廠(chǎng)商要求而有所不同。